特許

J-GLOBAL ID：200903022308364550

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 大野 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058778
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256501
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】キャパシタの上層に絶縁膜などを積層させてもボイドを生じにくい構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリンダ型記憶ノード電極を持つメモリキャパシタを有する半導体記憶装置であって、シリンダ型記憶ノード電極31bの内壁表面及び外壁表面が順テーパ状あるいは半導体基板10に対してほぼ直交する表面からなる構成とする。

請求項（抜粋）：

シリンダ型記憶ノード電極を持つメモリキャパシタを有する半導体記憶装置であって、前記シリンダ型記憶ノード電極の内壁表面及び外壁表面が順テーパ状あるいは半導体基板に対してほぼ直交する表面からなる半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C