特許

J-GLOBAL ID：200903022315096994

半導体製造装置

発明者： 吉田 秀昭
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270062
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120172
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上に形成された薄膜層をプラズマエッチングするドライエッチング装置において、プラズマエッチングの終点の誤検知をなくすことによって、エッチングの過不足をなくし製造歩留りの向上を図る。【構成】半導体基板上に形成された薄膜をドライエッチングするためのエッチングチャンバー1,真空ポンプ5,RF電源7,ガス吹き出し口2等を有する半導体製造装置において、エッチングチャンバー1にエッチング中の被エッチング物の濃度を分析するマスアナライザー9を設けている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された薄膜をドライエッチングする為にエッチングチャンバー,真空ポンプ,RF電源,ガス吹き出し口等を有する半導体製造装置において、前記エッチングチャンバーにエッチング中の被エッチング物の濃度を分析するマスアナライザーを設けた事を特徴とする半導体製造装置。