特許

J-GLOBAL ID：200903022316724948

半導体装置の製造方法

発明者： 籾山 陽一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324770
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150876
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、酸化物高誘電体材料又は酸化物強誘電体材料からなる被膜を半導体装置に用いる場合、熱処理を行っても、それ等材料が酸化還元反応で酸素欠陥を発生して誘電率が低下するなどの問題が起こらないようにする。【解決手段】 単結晶或いは多結晶或いはアモルファスなどのSiからなる基板1に窒素をイオン注入して熱処理することでSi-Nのボンドを生成させてから高誘電体膜であるTa2 O5 膜6を成膜することで、Ta2 O5 膜6に酸素欠陥が発生するのを防いで高い誘電率を維持できるようにし、その結果、Ta2 O5膜6を厚くすることを可能にしてリーク電流を低く抑えることができるようにした。

請求項（抜粋）：

単結晶或いは多結晶或いはアモルファスのSiからなる下地に窒素をイオン注入してから高誘電体膜或いは強誘電体膜を成膜する工程が含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (26件)：

5F038AC01 ,  5F038AC02 ,  5F038AC11 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AR26 ,  5F038AV06 ,  5F038BH07 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ13 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EA08 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EK05 ,  5F040EM02 ,  5F040FC15 ,  5F083AD00 ,  5F083FR00 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083PR36