特許
J-GLOBAL ID：200903022317269918
磁気抵抗効果素子及び磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373996
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189503
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 従来の成膜方法によって容易に形成でき、しかも、磁化固着層の側で十分な電子反射効果を得ることができる磁化固着層の構造、および、これらの構造を含むスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】 スピンバルブ構造における磁化固着層の非磁性中間層からみて相対的に遠くに設けられた第1の層領域を、Cr(クロム),Rh(ロジウム),Os(オスミウム),Re(レニウム),Si(シリコン),Al(アルミニウム),Be(ベリリウム),Ga(ガリウム),Ge(ゲルマニウム),Te(テルル),B(ボロン),V(バナジウム),Ru(ルテニウム),Ir(イリジウム),W(タングステン),Mo(モリブデン),Au(金),Pt(白金),Ag(銀)及びCu(銅)からなる群から選ばれた少なくとも一つの添加元素を含有した強磁性体により形成する。
請求項（抜粋）：
磁化自由層と、第1の磁化固着層と、前記磁化自由層と前記第1の磁化固着層との間に設けられた非磁性中間層と、を備え、前記第1の磁化固着層は、前記非磁性中間層からみて相対的に遠くに設けられた第1の層領域と、前記非磁性中間層からみて相対的に近くに設けられた第2の層領域と、を少なくとも有し、前記第1の層領域は、Cr(クロム),Rh(ロジウム),Os(オスミウム),Re(レニウム),Si(シリコン),Al(アルミニウム),Be(ベリリウム),Ga(ガリウム),Ge(ゲルマニウム),Te(テルル),B(ボロン),V(バナジウム),Ru(ルテニウム),Ir(イリジウム),W(タングステン),Mo(モリブデン),Au(金),Pt(白金),Ag(銀)及びCu(銅)からなる群から選ばれた少なくとも一つの添加元素を含有した強磁性体からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/10
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/10
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AA02
, 2G017AA10
, 2G017AB07
, 2G017AC06
, 2G017AD00
, 2G017AD43
, 2G017AD54
, 2G017AD56
, 2G017AD60
, 5D034BA05
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB04
, 5E049DB12
