半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-329932
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163206
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】基板に多数の貫通孔を設ける必要もなくチップサイズに近づけた小型の構造を実現し、しかも、生産効率の向上を図ることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ2を搭載する基板1の表面Sに対して反対側の裏面Fに、複数の導体ボール3を配列して備えた半導体装置Aであって、上記導体ボール3それぞれにランド部4bを介して接続される導線4aの集合体として、上記基板1の裏面Fに銅箔などをエッチングすることにより形成された配線パターンと、配線パターンにおける導線4aと上記半導体チップ2とを連絡するために、上記基板1におけるチップ搭載面1aの四方周囲一帯に開口された開口部1bと、開口部1bを介して上記導線4aの連結部4dと上記半導体チップ2とをワイヤ・ボンディングにより連結する導体ワイヤ6とを備えたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体チップを搭載する基板の表面に対して反対側の裏面に、複数の外部端子を配列して備えた半導体装置であって、上記外部端子それぞれに接続される導線の集合体として、上記基板の裏面に被膜形成された配線パターンと、上記配線パターンの一部分と上記半導体チップとを連絡するために、上記基板の端部外寄りに設けた連絡部と、上記連絡部を介して上記配線パターンの各導線と上記半導体チップとを連結した導体ワイヤと、を備えたことを特徴とする、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 301 A

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