特許
J-GLOBAL ID:200903022321355349

開孔形成方法及び電子回路カード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-348516
公開番号(公開出願番号):特開平6-053344
出願日: 1992年12月28日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】【目的】 アルミニウム回路カードに取付けられた集積回路デバイス3が発生する熱を効率的に放散させる。【構成】 アルミニウムコア層20上の開孔21に相当する位置にフォトレジスト位置ホルダを形成する。次に、アルミニウムコア層20の保護されていない部分を陽極化して酸化アルミニウム層23を形成する。更に、電気泳動コーティングによって電気絶縁性誘電ポリマー層25をその上に形成し、硬化させる。フォトレジスト位置ホルダを取り除くと、開孔21が残存する。IC3は開孔21内に収容されるので、IC3と回路カードのアルミニウムコア層20とは直接接触することができ、ICデバイスの熱効率が向上される。ポリマー層25の上部は次に回路化されてチップを相互接続する。
請求項(抜粋):
アルミニウム回路カードの電気絶縁性誘電層内に少なくとも1つの開孔を形成する方法であって、アルミニウムコア層の一方の面に隣接して形成すべき開孔に対応する寸法を有するフォトレジスト材料を配置する工程と、前記アルミニウムコア層上に前記フォトレジスト材料を取り囲む前記誘電材料層を少なくとも1層形成する工程と、前記フォトレジスト材料を除去する工程と、を含む開孔形成方法。
IPC (7件):
H01L 23/12 ,  B42D 15/10 521 ,  G06K 19/077 ,  H05K 1/05 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/44 ,  H05K 7/20
FI (3件):
H01L 23/12 F ,  G06K 19/00 K ,  H01L 23/12 J

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