半導体回路の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222913
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077674
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の第1の部分に選択的に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質珪素の第2の部分には前記金属元素を導入しない工程と、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射しながら、450〜700°Cに加熱する工程と、前記第1の部分に周辺回路を形成する工程と、前記第2の部分にアクティブマトリクス回路を形成する工程とを有することを特徴とする半導体回路の作製方法である。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の第1の領域に選択的に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質珪素膜の第2の領域には前記金属元素を導入しない工程と、前記非晶質珪素膜にレーザー光を照射しながら、450°C〜700°Cに加熱する工程と、前記第1の領域に周辺回路を形成する工程と、前記第2の領域にアクティブマトリクス回路を形成する工程とを有することを特徴とする半導体回路の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 612 B , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (6件)

アクテイブマトリクス型液晶表示素子の駆動用半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-319669 出願人：キヤノン株式会社
特開平2-140915
液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193720 出願人：株式会社日立製作所

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