特許

J-GLOBAL ID：200903022322945859

半導体装置及びその製造方法

発明者： 野口 今朝男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253257
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095116
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】ダブルチャネル型トランジスタのON電流を十分に保ち、ゲートとソース・ドレイン間の破壊する欠陥を減少させ、歩留を向上させる。【構成】ガラス基板10上に、アモルファスシリコン膜11、窒化シリコン膜12、ゲート電極13、窒化シリコン膜14を形成し、窒化シリコン膜12,14をパターニングしてアモルファスシリコン膜11を露出させる。その上に再びアモルファスシリコン膜15を形成し、ゲート電極13の両端にN+ 型アモルファスシリコン膜17及び電極18を形成して、それぞれソース領域、ドレイン領域とする。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の半導体層を有し、前記第1の半導体層上に第1の絶縁膜を有し、前記第1の絶縁膜上にゲート電極を有し、前記ゲート電極上に第2の絶縁膜を有し、前記第2の絶縁膜上に第2の半導体層を有し、前記第1の半導体層及び第2の半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-149478
  
• 特開昭58-115864
  
• 特開昭63-016674