特許

J-GLOBAL ID：200903022327850660

光電変換機能素子の製造方法

発明者： 荒川 篤俊 ,  佐藤 賢次
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347476
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168391
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗のオーミック電極を形成でき、かつ長寿命化を図ることのできる光電変換機能素子の製造方法を提供する。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶を基板とする光電変換機能素子の製造方法であって、第1の導電型の上記基板の表面に該基板を第2の導電型にする元素の拡散源を基板表面に配置して熱拡散によりpn接合を形成する工程と、上記拡散終了後に、上記基板上に残留した拡散源の表面にレーザアニールを施す工程と、上記基板の表裏に電極を形成する工程とを少なくとも有するようにした。

請求項（抜粋）：

周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶を基板とする光電変換機能素子の製造方法であって、第1の導電型の上記基板の表面に該基板を第2の導電型にする元素の拡散源を基板表面に配置して熱拡散によりpn接合を形成する工程と、上記拡散終了後に、上記基板上に残留した拡散源の表面に対してレーザアニールを施す工程と、上記基板の表裏に電極を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする光電変換機能素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/385 ,  H01S 5/327

FI (5件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/225 M ,  H01L 21/322 S ,  H01L 21/385 ,  H01S 5/327

Fターム (14件)：

5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA57 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F041CA76 ,  5F073AA41 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073DA12 ,  5F073DA17 ,  5F073EA07