絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成システム

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木村満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-399827
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166716
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】低誘電率膜の改質する処理と、改質後の低誘電率膜上に膜質の異なる他の絶縁膜を形成する処理とを、効率良く実行することを可能とする。【解決手段】 1台のCVD装置で、ヒータをオンし、1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン(TMCTS)を導入し、高周波電圧を印加せずに、焼成処理を行い、多孔質シリカなどの多孔質低誘電率膜の改質処理を行う。続いて、同一のCVD装置で、ヒータをオンし、TMCTSを導入し、高周波電圧を印加して、TMCTSのプラズマを生成し、多孔質低誘電率膜の上に密度・硬度の高い絶縁膜を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜を所定の反応性物質を含む雰囲気中で加熱する熱処理工程と、前記反応性物質を含むガスを利用した化学気相成長により、前記熱処理工程による熱処理後の前記第1の絶縁膜上に、第2の絶縁膜を形成する成膜工程と、を備える絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/768

FI (6件)：

H01L21/316 P , H01L21/316 M , C23C16/42 , H01L21/90 A , H01L21/90 P , H01L21/90 M

Fターム (63件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA24 , 4K030KA41 , 4K030LA02 , 5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ74 , 5F033QQ85 , 5F033RR01 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT07 , 5F033WW00 , 5F033WW05 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AF02 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BD01 , 5F058BD07 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第6,147,009号明細書
日本国特許公開公報平9-298241号公報
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-298309 出願人：株式会社東芝

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