特許
J-GLOBAL ID：200903022337974987
半導体双方向性スイッチおよびその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185704
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051202
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】双方向性スイッチにおいて半導体基板を浮遊電位にすることによって、高耐圧、低オン電圧、低ターンオフ損失および高速スイッチング特性を得る。【構成】電極を持たないp形基板1上にn領域2が設けられ、このn領域2の上部の一部に一組の相対するpウエル領域51と52およびp領域11とが設けられ、さらに、このpウエル領域内にn+ 領域41と42が設けられ、pウエル領域の表面には絶縁膜61と62を介してゲート電極71と72が設けられ、n+ 領域の表面の一部とp+ コンタクト領域の表面には主電極81と82が設けられている。
請求項（抜粋）：
第1導電形半導体基板上に設けられた第2導電形半導体領域と、該第2導電形半導体領域の表層の一部に設けられた少なくとも1組の相対する第1および第2の第1導電形ウエル領域と、該第1導電形ウエル領域の表層の一部に設けられた第2導電形高濃度半導体領域と、前記相対する第1および第2の第1導電形ウエル領域に挟まれた前記第2導電形半導体領域の表層の一部に設けられた少なくとも1つの第1導電形半導体領域と、前記第2導電形高濃度半導体領域と前記第2導電形半導体領域との間の前記第1および第2のそれぞれの第1導電形ウエル領域上に絶縁層を介してそれぞれ設けられた第1および第2のゲート電極と、前記第1および第2の第1導電形ウエル領域と前記第2導電形高濃度半導体領域とをそれぞれ電気的に接続する第1および第2の主電極を有し、前記第1導電形半導体基板をフローテングとしたことを特徴とする半導体双方向性スイッチ。
IPC (2件)：
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