特許

J-GLOBAL ID：200903022345128653

半導体装置の製造方法

発明者： 村本 昌彦 ,  細田 博紀 ,  浜田 敏正
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182652
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036372
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 陽極酸化時に電流を流すための端子を、アセトン等の有機溶媒で有機材料をふき取って確保する必要があった。【課題解決手段】 絶縁基板1上に、酸化ケイ素膜2、多結晶シリコン膜3、ゲート絶縁膜4、電極配線5の材料膜を順次形成する。次に、フォトレジストを全面に塗布した後、フォトリソグラフィ工程により、レジストパターン6を形成し、レジストパターン6をマスクに、上記電極配線材料膜をエッチングし、電極配線5を形成する。次に、少なくとも電極配線5の側面の一部を覆うように、導電性樹脂7を形成し、導電性樹脂7を端子として、多孔質の陽極酸化膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に第1の絶縁膜、活性領域となる半導体層、第2の絶縁膜及び陽極酸化可能な電極配線材料膜を順次形成する工程と、フォトレジストを全面に塗布した後、フォトリソグラフィ工程により、電極配線パターンを形成し、該パターンをマスクに、上記電極配線材料膜をエッチングし、電極配線を形成する工程と、少なくとも上記電極配線の側面の一部を覆うように、導電性樹脂膜を形成し、該導電性樹脂膜を端子として、上記電極配線の側面に陽極酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 617 W ,  H01L 21/316 T