特許
J-GLOBAL ID：200903022345952313
位相シフトマスクの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-152146
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 半遮光層を備える位相シフトマスクの作製方法であって、光透過領域や位相シフト領域のドライエッチング加工形成における半遮光層の膜厚の変動を無くし、光透過領域や位相シフト領域を所望のパターン形状に正確に形成することができる位相シフトマスクの作製方法を提供する。【構成】 レジストパターンをエッチング用マスクとして半遮光層形成材料を選択的に除去して半遮光層22を形成した後、半遮光層上にレジスト30を付着させたまま、好ましくは屈折率の異なるポジ型フォトレジスト31を更に表面に塗布し、裏面から所定波長の平行露光光40を照射し、現像して形成されるレジストパターンをマスクとして位相シフト部を形成する。
請求項（抜粋）：
互いに位相を異ならしめて光を透過する領域を有し、かつ半遮光層を備える位相シフトマスクの作製方法において、レジストパターンをエッチング用マスクとして半遮光層形成材料を選択的に除去して半遮光層を形成した後、半遮光層上にレジストを付着させたまま、更にポジ型フォトレジストを表面に塗布し、裏面から所定波長の平行光を照射し、現像により形成されるレジストパターンをマスクとして位相シフト部を形成することを特徴とする位相シフトマスクの作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
