特許
J-GLOBAL ID：200903022348102469
処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
住吉 多喜男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326676
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144406
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 サセプタを用いずにウェハ全面にわたって均一な温度を維持できるランプ加熱を用いた半導体加熱装置を提供する。【構成】 下方に石英窓5を有する真空容器2内にウェハ1を配置するとともに、石英窓の下方にターンテーブル7上に配列された複数個のランプ8を配置する。ランプ8は、光軸18がウェハ1の周縁部に位置するように配列する。ターンテーブル7の回転軸10とランプ8の配列の中心9とを偏心して設ける。ターンテーブル7上に設けられたランプ8にランプ傾斜機構を設ける。
請求項（抜粋）：
真空容器内に設けた載置手段上に載置された被加熱体を処理する装置であって、被加熱体に対向して設けられた複数個のランプと、該複数個のランプを円周状に配列載置した回転体と、該回転体を駆動する駆動源とからなることを特徴とする処理装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01L 21/26
, H01L 21/324
, C23C 14/02
