特許
J-GLOBAL ID:200903022351906269

露光用マスク及びこれを使用した露光方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-209905
公開番号(公開出願番号):特開平6-059432
出願日: 1992年08月06日
公開日(公表日): 1994年03月04日
要約:
【要約】【目的】エッジ透過型位相シフトマスクの製造工程における透明材料と遮光材料のパターン形成の均一性を向上させ、かつ、露光で形成される微細線幅の制御性を向上させる。【構成】エッジ透過型位相シフトマスクの位相シフト部(遮光材料部100、透明材料部200、透明基板部300)の外側に、透明材料3あるいは遮光材料2よりなるダミーパターンを配置する。又、この露光マスクを用いて光強度分布を解像光強度以上にすることによって遮光材料部100位置の微細な線幅のみを解像するための多重露光を行う。
請求項(抜粋):
透明基板上に遮光材料と透明材料とを有し、所望のパターンの位置に遮光材料を配置したエッジ透過型位相シフト法に用いる露光用マスクにおいて、所望のパターン以外に、透明材料あるいは遮光材料よりなるダミーパターンを有し、かつ、所望のパターンの位置の透明材料部と透明基板部の線幅が、λ/(NA×M)以上(λは露光光の波長、NAは投影レンズの開口数、Mは投影倍率)であり、かつ、上記マスクの目合わせ露光における目合わせ精度と次工程の多重露光における目合わせ精度との和の2倍以上であることを特徴とする露光用マスク。
IPC (3件):
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-170928
  • 特開平3-141354
  • 特開平3-125150
全件表示

前のページに戻る