特許
J-GLOBAL ID：200903022352487731
単層壁カーボン・ナノチューブの制御された成長
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
遠藤 淳二
, 小西 富雅
, 中村 知公
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553048
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512930
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
構造秩序性が高く、ポア直径分布が狭い(±0.15nmFWHM)、遷移金属で置換された非晶質中多孔質シリカフレームワークを合成し、単層壁カーボン・ナノチューブ(SWNT)のテンプレート上の成長のために用いた。本SWNTの物理特性(直径、直径分布、電子特性)は、テンプレートのポア・サイズ及びポア壁面の化学的性質により、コントロールすることができる。本SWNTは、化学センサや、トランジスタ及びクロスバー・スイッチなどのナノスケール電子装置などに用途を見出すことができる。
請求項（抜粋）：
単層壁カーボン・ナノチューブを作製する方法であって、
中多孔質の含シリカ構造から成るフレームワークを提供するステップであって、前記フレームワークが、所定の均一なポア・サイズを有すると共に、前記フレームワークの置換部位に選択的に分散させられた金属イオンを含有し、前記分散した金属イオンが、触媒部位の唯一の源を形成している、ステップと、
炭素含有反応体を前記フレームワーク上に所定の温度で流し込むステップと、
を含み、
所定のポア・サイズと相関する直径を持つ単層壁カーボン・ナノチューブを作製する、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, H01L29/66 S
4G146AA12
, 4G146AC16B
, 4G146AD28
, 4G146BA08
, 4G146BA12
, 4G146BB23
, 4G146BC03
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146BC47
, 4G146DA02
, 4G146DA03
