特許
J-GLOBAL ID：200903022352487731

単層壁カーボン・ナノチューブの制御された成長

発明者：
プフェッファーレ, リサ

プフェッファーレ, リサ について

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ヘラー, ゲイリー

ヘラー, ゲイリー について

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チウパル, ドラゴス

チウパル, ドラゴス について


出願人/特許権者：
イエール ユニバーシティー

イエール ユニバーシティー について


代理人 (3件)： 遠藤 淳二 ,  小西 富雅 ,  中村 知公
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553048
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512930
出願日： 2002年12月18日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
構造秩序性が高く、ポア直径分布が狭い(±0.15nmFWHM)、遷移金属で置換された非晶質中多孔質シリカフレームワークを合成し、単層壁カーボン・ナノチューブ(SWNT)のテンプレート上の成長のために用いた。本SWNTの物理特性(直径、直径分布、電子特性)は、テンプレートのポア・サイズ及びポア壁面の化学的性質により、コントロールすることができる。本SWNTは、化学センサや、トランジスタ及びクロスバー・スイッチなどのナノスケール電子装置などに用途を見出すことができる。
請求項（抜粋）：
単層壁カーボン・ナノチューブを作製する方法であって、 中多孔質の含シリカ構造から成るフレームワークを提供するステップであって、前記フレームワークが、所定の均一なポア・サイズを有すると共に、前記フレームワークの置換部位に選択的に分散させられた金属イオンを含有し、前記分散した金属イオンが、触媒部位の唯一の源を形成している、ステップと、 炭素含有反応体を前記フレームワーク上に所定の温度で流し込むステップと、 を含み、 所定のポア・サイズと相関する直径を持つ単層壁カーボン・ナノチューブを作製する、方法。
IPC (2件)：
C01B31/02 ,  H01L29/66
FI (2件)：
C01B31/02 101F ,  H01L29/66 S
Fターム (13件)：
4G146AA12 ,  4G146AC16B ,  4G146AD28 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC47 ,  4G146DA02 ,  4G146DA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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