アクティブマトリクス液晶表示パネル及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227091
公開番号（公開出願番号）：特開平9-054342
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】順スタガード型TFTに比べて特性的に優れる逆スタガード型TFTを用いて、より少ない露光回数で安定なプロセスのみを用いて作製できる構造のTFTアレイからなるアクティブマトリクス液晶パネルを与える。【解決手段】ガラス基板9上に、同一パタンからなる走査線1、ゲート絶縁膜10、非晶質シリコン膜11をこの順に配し、このパタン上に一部に透明画素電極6と同一の層で形成したドレイン電極3とソース電極4とを配し、さらにこの上に保護絶縁膜12を配し、ソース・ドレイン電極上に配したコンタクトホール5を通して、保護絶縁膜上に配する信号線2とドレイン電極3を接続し、ソース電極と画素電極とを配線7で接続する。

請求項（抜粋）：

格子状に配置され互いに交差してなる平行な複数の走査線及び平行な複数の信号線を備え、前記走査線と前記信号線の各交点の近傍に設けられると共に前記走査線と同一層に形成され、前記信号線に接続されたゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた薄膜半導体層と、前記薄膜半導体層上に設けられ前記信号線と電気的に接続する第1の電極および画素電極と接続する第2の電極(但し、第1の電極がソース(ドレイン)電極の時、第2の電極はドレイン(ソース)電極)と、からなる薄膜トランジスタが形成されてなる第1の透明絶縁性基板と、透明電極を有する第2の透明絶縁性基板と、を液晶層を介して貼り合わせてなる液晶表示パネルにおいて、周辺端子接続部を除いて前記走査線と前記ゲート電極とからなるパタンと同一のパタンで前記ゲート絶縁膜および前記薄膜半導体層がパタン化され、前記第1及び第2の電極が前記薄膜半導体層上の所定領域において前記画素電極と同一層により形成され、前記第1及び第2の電極と前記薄膜半導体層を覆うように保護絶縁膜が設けられると共に、前記保護絶縁膜上に前記信号線が配設され、前記信号線と前記第1の電極とは、前記第1の電極上の所定領域に形成されたコンタクトホールを介して接続され、前記信号線と同一層に形成された金属層により前記第2の電極と前記画素電極とが電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示パネル。

IPC (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 27/12 A , H01L 29/78 612 D

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