特許

J-GLOBAL ID：200903022357687917

高出力電界効果トランジスタ増幅器

発明者： 河野 正基 ,  礒田 陽次 ,  望月 満
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-166797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-014069
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 マイクロ波領域で広帯域にわたって高利得が得られる高出力電界効果トランジスタ増幅器を構成する。【構成】 ソース接地形式の電界効果トランジスタ24が構成された第1の基板22上に、上記電界効果トランジスタのゲートと接地点との間に接続されるインダクタ36とキャパシタ40との直列回路を構成し、上記電界効果トランジスタ24のゲートを上記第1の基板22とは別の第2の基板上に構成された入力インピーダンス整合回路33に接続し、さらに上記電界効果トランジスタ24のドレインを上記第1の基板とは別の第3の基板上に構成された出力インピーダンス整合回路43に接続して構成されている。

請求項（抜粋）：

第1の基板上にソース接地形式で構成された電界効果トランジスタと、上記第1の基板とは異なる第2の基板上に構成され、上記電界効果トランジスタのゲートが接続される入力インピーダンス整合回路と、上記第1の基板とは異なる第3の基板上に構成され、上記電界効果トランジスタのドレインが接続される出力インピーダンス整合回路と、上記電界効果トランジスタのゲートと接地点との間に接続されたインダクタとキャパシタとの直列回路とからなり、上記直列回路は上記電界効果トランジスタと共に第1の基板上に構成されている高出力電界効果トランジスタ増幅器。

IPC (4件)：

H03F 3/193 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 B