特許
J-GLOBAL ID：200903022358985997
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-195556
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040897
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 高速変調が可能な、素子容量の小さい、かつ簡単な作製工程で作製できるFeドープの高抵抗InP埋め込み層で埋め込んだ半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Feドープ高抵抗埋め込み層で埋め込まれた半導体レーザ素子において、n型InP基板1のストライプに有機金属気相成長法により形成されるアンドープInGaAsP活性層5とp型InPクラッド層6と、全体にエピタキシャル成長されるFeドープ高抵抗InP層7と、このFeドープ高抵抗InP層7上に選択的に形成されるp型InGaAsPコンタクト層9と、前記Feドープ高抵抗InP層7の内、前記p型InPクラッド層6と前記p型InGaAsPコンタクト層9が接した部分をp形半導体層からのp形ドーパントの拡散により、変質されるp形半導体層10とを具備する。
請求項（抜粋）：
Feドープ高抵抗埋め込み層で埋め込まれた半導体レーザ素子において、(a)n型化合物半導体基板のストライプに有機金属気相成長法により形成される活性層とp型InPクラッド層と、(b)全体にエピタキシャル成長されるFeドープ高抵抗InP層と、(c)該Feドープ高抵抗InP層上に選択的に形成されるp型InGaAsPコンタクト層と、(d)前記Feドープ高抵抗InP層の内、前記p型InPクラッド層と前記p型InGaAsPコンタクト層が接した部分をp形半導体層からのp形ドーパントの拡散により、変質されるp形半導体層とを具備することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
