特許

J-GLOBAL ID：200903022361163043

半導体装置およびその製造方法

発明者： 前田 圭一 ,  青山 純一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225058
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067763
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 配線を埋め込み配線技術を用いて形成した場合に、配線のパッドまたは配線のうち幅を広くする必要のある部分が、化学機械研磨法による研磨によるディッシングの影響を受けにくく、かつ、高い製造歩留まりで製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 100μm角の正方形状のパッド領域に下層配線のパッド1および上層配線のパッド2を設ける。パッド1,2を、それぞれ、パッド1,2の全体の大きさに比べて幅の狭い溝配線3,4により構成する。溝配線3,4の幅は0.4μmとする。溝配線3,4は、パッド領域内に全体としてパッド1,2の形状となるように一筆書き形状に引き回す。

請求項（抜粋）：

配線のパッドがこのパッドの大きさに比べて幅の狭い溝配線により構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 N