半導体基板の研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-000761
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月11日
要約：

【要約】【目的】平坦度のよいウェーハの研磨方法を提供する。【構成】キャリア2に挿入したウェーハ1を上定盤3と下定盤5に挟圧した状態で回転させて、所定の温度に冷却した研磨剤7をノズル6から滴下しながら研磨することにより、平坦度のよいウェーハ研磨を実現する。

請求項（抜粋）：

キャリアに挿入した半導体基板を上定盤と下定盤に挟圧した状態で回転させて研磨剤を滴下しながら研磨する際に、前記研磨剤を冷却することを特徴とする半導体基板の研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

前のページに戻る