特許

J-GLOBAL ID：200903022366675263

水素生成装置及び水素貯蔵・供給装置

発明者： 深田 和宏 ,  五藤 靖志 ,  深谷 和弘
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108243
公開番号（公開出願番号）：特開2003-306303
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：

【要約】【課題】 スプレー噴射などによる原料の供給手段による反応装置の大型化を避けることができる水素生成装置を提供すること。【解決手段】 芳香族化合物A(例えば、芳香族炭化水素)の水素化誘導体HA(例えば、飽和炭化水素)を加熱された触媒に接触させて水素化誘導体HAの脱水素反応により水素Hを生成する水素生成装置1である。この水素生成装置1は、水素化誘導体HAを貯留する原料貯留部14と、反応により生成した水素Hを含む気体が内部を通過可能(例えば、連通孔を備える等)な触媒層16を備えている。

請求項（抜粋）：

芳香族化合物の水素化誘導体を加熱された触媒に接触させて水素化誘導体の脱水素反応により水素を生成する水素生成装置において、前記水素化誘導体を貯留する原料貯留部と、該原料貯留部よりも上位に配置され、反応により生成した水素を含む気体が内部を通過可能な触媒層と、前記原料貯留部から毛細管現象により前記触媒層へ水素化誘導体を供給する供給手段を備えたことを特徴とする水素生成装置。

IPC (4件)：

C01B 3/00 ,  C01B 3/26 ,  H01M 8/04 ,  H01M 8/06

FI (4件)：

C01B 3/00 B ,  C01B 3/26 ,  H01M 8/04 J ,  H01M 8/06 R

Fターム (6件)：

4G140DA03 ,  4G140DB03 ,  4G140DB05 ,  4G140DC07 ,  5H027AA02 ,  5H027BA13