改善された金属配線のための方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562948
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521842
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】ビアからビアへの漏れ電流がなく、且つ低抵抗を有する銅配線を形成する方法が開示される。第一の側面では、酸化銅スパッタエッチングに先立って第一の金属層上にバリア層を堆積することにより、銅原子が層間誘電体に到達して、その中にビアからビアへの漏れ電流経路を形成するのを防止する。第二の側面では、スパッタエッチングに先立って、前記第一の金属層を覆うキャッピング誘電体バリア層を堆積する。スパッタエッチングの際に、キャッピング誘電体バリア層は層間誘電体の側壁上に際分布し、スパッタエッチされた銅原子が層間誘電体に到達して、その中にビアからビアへの漏れ経路を形成するのを防止する。第三の側面では、スパッタエッチングに先立って、キャッピング誘電体バリア層およびバリア層の両方を第一の金属層を覆って堆積し、スパッタエッチングの際に生じた銅原子が層間誘電体に到達して、その中にビアからビアへの漏れ経路を形成するのを防止する。

請求項（抜粋）：

第一の金属層と第二の金属層の間にコンタクトを形成する方法において: 第一の金属層を設けることと; 該第一の金属層の上に配置された第一の誘電体層であって、その中では前記第一の金属層の原子が高度に移動性であり、且つ前記第一の金属層を露出するためにその中にビアが形成された第一の誘電体層を設けることと; 前記第一の誘電体層の上にバリア層を堆積することと; 前記第一の金属層の少なくとも一部を露出させることと; 前記露出された第一の金属層の上に第二の金属層を堆積することにより、前記第一の金属層と第二の金属層との間にコンタクトを形成することとを具備した方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (3件)：

H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R , H01L 21/90 B

Fターム (45件)：

4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN17 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ14 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033XX09

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