プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361964
公開番号（公開出願番号）：特開2001-181848
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】上部電極の特別な内面構造と、より良い磁界とを用いることによって処理されるべき基板に近い下流側で大面積でかつ半径方向に均一なプラズマを作ることのできるプラズマ処理装置。【解決手段】上部電極11の内面はプラズマ閉じ込め領域22を備えるプラズマ閉じ込め構造を有し、領域22で高密度プラズマが生成され、上部電極11にはrf電力が印加され、プラズマは上部電極11の近傍でプラズマ閉じ込め領域内に生成され、そしてそれは基板19に向って拡散し、プラズマ閉じ込め領域内に生成されたプラズマはプラズマ閉じ込め作用のため、高い密度を有し、大面積のプラズマは上部電極11に近いところでは半径方向に不均一のプラズマ密度の状態にあり、そして下流で半径方向に均一なプラズマ密度を有するようになる、プラズムに晒された内面を備えた容量結合型平行電極構造を有する、プラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

内面がプラズマに晒された上部電極を含む容量結合型平行電極構造を備えるプラズマ処理装置であり、前記上部電極の前記内面は複数のプラズマ閉じ込め領域を備えるプラズマ閉じ込め構造を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/505 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/02 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/505 , H01L 21/205 , H05H 1/02 , H05H 1/46 M , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭61-284572
特開平1-099213
気相反応装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-126829 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

審査官引用 (5件)

特開平1-099213
特開昭61-284572
特開平1-099213

全件表示

前のページに戻る