特許

J-GLOBAL ID：200903022369671560

シリコン基板の製造方法およびシリコン基板

発明者： 栗本 祐司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347304
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコン基板の拡散長の改善効果の高い欠陥不活性化方法を実現する。【解決手段】 シリコン基板表面に第二導電層を形成し、この第二導電層を除去することにより、第二導電層が除去されたシリコン基板表面に水素を照射する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に第二導電層を形成する工程、該第二導電層を除去する工程、第二導電層が除去されたシリコン基板表面に水素を照射する工程を含むことを特徴とするシリコン基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/322 Z ,  H01L 21/322 R ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/324 X

Fターム (4件)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029GA00