特許
J-GLOBAL ID：200903022381248606
成膜装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上村 輝之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207365
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038649
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 高速に且つ品質の良い成膜を行う。成膜材料の利用率を向上させる。【解決手段】 成膜物質で作られたワイヤ状電極13をプラズマトーチの陰極として用いる。電源によってワイヤ状電極13とノズル15間に電圧を印加することでアーク37を発生させ、このアーク37でプラズマガスをプラズマ化して、トーチからプラズマジェットを噴出する。熱電子放出現象に伴う熱を利用してワイヤ状電極13を瞬時に気化させて、プラズマジェットに混入させ、成膜対象の基板55に吹き付ける。また、制御装置41が、アーク電圧値を常にモニタリングしてそれが設定値に一致するように電極13の自動供給を制御する。ノズル15は、プラズマジェットを超音速で噴出するラバルノズルにする。
請求項（抜粋）：
成膜材料を用いたワイヤ状の陰極と、陽極となり、先端がプラズマジェットの放出口となるノズルと、前記放出口から前記プラズマジェットが噴出されるように前記陰極と前記ノズル間にガスを供給するガス供給部と、前記陰極と前記ノズルとの間に電圧を印加してアーク放電を発生させ、前記ガスを前記プラズマジェットにする電源とを有し、前記アーク放電時の熱電子放出による高温により前記陰極を気化して前記プラズマジェットに混入させる成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 4/00
, C23C 4/12
, H05H 1/42
C23C 4/00
, C23C 4/12
, H05H 1/42
4K031DA04
, 4K031EA01
, 4K031EA08
, 4K031EA12
