特許
J-GLOBAL ID：200903022386391229
テラヘルツ電磁波発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-135540
公開番号（公開出願番号）：特開2006-313803
出願日： 2005年05月09日
公開日（公表日）： 2006年11月16日
要約：
【課題】 THz-TDS法は、強度においては最大で10μW程度までの放射しか実現しない。また、その帯域も1.5THz程度までは到達しているものの0.3THz付近を最大値としており、1.5THzでの強度は0.1μW程度にしかなっていない。より高出力かつ広帯域なテラヘルツ帯電磁波発生装置が必要となる。【解決手段】 前記目的を達成するために従来のLT-GaAsだけの放射アンテナに対してアバランシェ増倍層205を設けることでキャリアの増倍を促進し、アバランシェ増倍層205の挿入によって生じる問題点も電荷堰き止め層302の挿入と電磁波放射用窓304の作製によって解消させた。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
超短パルス光を放射する光源と、電磁波放射用アンテナとを備えたテラヘルツ波発生装置であって、
前記電磁波放射用アンテナは、
導電性基板と、前記導電性基板上に形成されたバッファ層上に、1.7eV以上2.2eV以下のバンドギャップエネルギーを有している電荷堰き止め層と、1.5eV以上2.0eV以下のバンドギャップエネルギーを有しているアバランシェ増倍層と、低温成長GaAs(LT-GaAsとも言う)層とを積層して構成され、
素子表面には伝送線路を有し、前記伝送線路は、一対の伝送線路電極本体と、前記各伝送線路電極本体からそれぞれ突出する突起電極とを有し、
前記一対の伝送線路本体は平行に配置されており、
前記突起電極は互いに向かい合っており、
前記伝送線路は、その一対の伝送線路電極本体のうち一方の突起電極直下において電荷堰き止め層迄の深さを有しており、
素子裏面に電極を有し、素子表面にある前記伝送線路の少なくとも一方との間に印加する電界強度は1×105V/cm以上5×106V/cm以下の電界であって、
前記突起電極間に、波長540nm以上870nm以下で平均強度が15mW以上1W以下の超短パルス光を光源より照射することによって電磁波を発生させることを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
2G059AA02
, 2G059AA03
, 2G059BB16
, 2G059GG08
, 2G059HH01
, 2G059KK01
, 5F172NN17
, 5F172ZZ13
出願人引用 (5件)
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テラヘルツ帯複素誘電率測定装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-196723
出願人：科学技術振興事業団
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特開昭62-281477号公報
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特開昭62-196876号公報
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