特許
J-GLOBAL ID：200903022388714220
フォトレジストオーバーコート材料及びレジストパターン形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-083400
公開番号（公開出願番号）：特開平8-254834
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 フォトレジスト層の表面における酸の失活によるレジストパターン形状の劣化を防ぎ、微細加工を可能にするフォトレジストオーバーコート材料及びレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 下記一般式(1)で表される共重合体を主成分としてなるフォトレジストオーバーコート材料を炭化水素系有機溶剤で溶解して溶液とし、この溶液を上記炭化水素系有機溶剤に不溶で且つ露光後はアルカリ水溶液に可溶となりアルカリ水溶液で現像できるフォトレジスト層2の表面に塗布して、フォトレジスト層2上にオーバーコート層3を積層した後、このフォトレジスト層2を露光し、次いで上記オーバーコート層3をアルカリ水溶液により除去すると同時にフォトレジスト層2の現像を行ってレジストパターン5を形成する。【化1】
請求項（抜粋）：
フォトレジスト層上に積層されるオーバーコート層を形成するフォトレジストオーバーコート材料において、下記一般式(1)で表される共重合体を主成分としてなることを特徴とするフォトレジストオーバーコート材料。【化1】
IPC (4件)：
G03F 7/11 501
, G03F 7/039
, G03F 7/38 512
, H01L 21/027
G03F 7/11 501
, G03F 7/039
, G03F 7/38 512
, H01L 21/30 568
, H01L 21/30 575
