特許

J-GLOBAL ID：200903022390585623

半導体歪量子井戸レーザ

発明者： 菅原 充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060277
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275909
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 半導体歪量子井戸レーザに関し、バンド・オフセット値の予測について新たな理論を確立し、それに基づき、常に、タイプ1の歪量子井戸構造をもつレーザが得られるようにする。【構成】 n-InP基板上に積層されたAl0.25Ga0.22In0.53As光閉じ込め層23A、In0.2 Ga0.8 As井戸層23B、Al0.25Ga0.22In0.53As障壁層23C、In0.2 Ga0.8 As井戸層23D、Al0.25Ga0.22In0.53As光閉じ込め層23Eで構成され、且つ、そのIn0.2 Ga0.8 As井戸層23B、In0.2 Ga0.8 As井戸層23Dなどには面内方向に引っ張り歪が加わっている歪量子井戸で構成された活性層23を備えている。

請求項（抜粋）：

InP基板上に積層形成された(Aly Ga1-y )z In1-z As障壁層及びIn1-x Gax As井戸層からなり且つ前記In1-x Gax As井戸層の面内方向に引っ張り歪が加わっている歪量子井戸で構成された活性層を備えてなることを特徴とする半導体歪量子井戸レーザ。