特許

J-GLOBAL ID：200903022390775899

薄膜抵抗およびその製造方法

発明者： 米山 勝廣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227293
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053235
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】回路基板上にゾル・ゲル法によって薄膜抵抗を形成することを目的とする。【解決手段】電極16が形成されている絶縁基板15上にゾル・ゲル前駆体17を塗布し、部分的に結晶化する工程を複数回繰返すことによって多層の薄膜から成る抵抗を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成される薄膜から成る薄膜抵抗において、複数層の薄膜から成るとともに、それぞれの薄膜が光アシストゾル・ゲル法による無機酸化物薄膜の結晶であることを特徴とする薄膜抵抗。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 V

Fターム (4件)：

5F038AR07 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20