特許

J-GLOBAL ID：200903022392795978

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 中村 吉孝 ,  小林 伸好 ,  福田 琢也 ,  斉藤 政良 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293473
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144878
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】多層配線の配線抵抗を低減させるとともに配線の信頼性を高め、さらに単位メモリセル面積を縮小する。【解決手段】接続プラグ(10a、13a、16a、19a)の平面形状を、隣接する配線(11、14、、7)と干渉しない方向に長軸を有する楕円型にするとともに、このような形状の接続プラグを、各楕円の長軸を直交させて十文字型に配置して順次複数個重ねて、互いに直接電気的に接続する。【効果】接続孔への導電体膜の埋込が容易になって微細化され、さらに、マスク合わせの際の位置ずれによる影響が減少して、多層配線の製造が容易になり、信頼性と性能が向上する。また、ウエハあたりのチップ取得数が増加して製造コストが低減する。

請求項（抜粋）：

下地基板と、当該下地基板の表面上に形成された層間絶縁膜と、当該層間絶縁膜を貫通する導電性膜からなる接続プラグを具備し、当該接続プラグの平面形状が楕円型形状であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/10 651