特許
J-GLOBAL ID：200903022395165266
電力ケーブル絶縁体層用のポリエチレンおよびそれを用いた架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブル
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055826
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333430
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 高温・高電界下においてもtanδが上昇しない電力ケーブル絶縁体層のポリエチレンと、そのポリエチレンを用いることにより、高温下における絶縁破壊値が大きく、大容量送電が可能な架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルを提供する。【構成】 このポリエチレンはエチレンの高圧ラジカル重合によって合成される低密度ポリエチレンであって、下記の性状:MFR 0.1〜10g/10分; D 0.915〜0.935g/cm3 ;赤外吸収スペクトルにおいて、波数1725±4cm-1の位置にピークを有するケトン型カルボニル基の吸光度が0.03〜1.0、波数1743±4cm-1の位置にピークを有するエステル型カルボニル基の吸光度が1.0以下であり、かつ、その他のカルボニル基に基づく吸光度が0.03より小さい;または/および前記低密度ポリエチレンの密度をD(g/cm3)としたときのCFC測定において、次式:T=687×D-547で計算される溶出温度T(°C)以上の温度で溶出する成分が3重量%以下;を有している。
請求項（抜粋）：
エチレンのラジカル重合によって合成された低密度ポリエチレンであって、下記の性状:a、MFRが0.1〜10g/10分;b、密度が0.915〜0.935g/cm3 ;c、赤外吸収スペクトルにおいて、波数1725±4cm-1の位置にピークを有するケトン型カルボニル基の吸光度が0.03〜1.0、波数1743±4cm-1の位置にピークを有するエステル型カルボニル基の吸光度が1.0以下であり、かつ、その他のカルボニル基に基づく吸光度が0.03より小さい;を有している低密度ポリエチレンであることを特徴とする電力ケーブル絶縁体層用のポリエチレン。
IPC (3件)：
H01B 3/44
, C08F 10/02 MJF
, H01B 9/00
