特許

J-GLOBAL ID：200903022396300680

絶縁膜形成方法

発明者： 松原 俊夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-236553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061222
出願日： 1992年08月11日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 ECR-CVD法により低温で緻密な窒化珪素膜を形成する。【構成】 ECR-CVD法による窒化珪素膜形成において、シラン系の原料ガスとして、シランガスとアルゴンガスを、シランガスのシランガスとアルゴンガスとの和に対する比率が25〜50%となるように混合したガスを用いた。【効果】 形成温度が80°C以下でも緻密性の高い窒化珪素膜が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体表面に、電子サイクロトロン共鳴化学気相成長法(Electron Cyclotron Resonance-Chemical Vapor Deposition:ECR-CVD法)により第1の原料ガス中の窒素と第2の原料ガス中のシランを反応させて窒化珪素膜を形成する絶縁膜形成方法において、上記第2の原料ガスは、シランガスとアルゴンガスを、シランガスのシランガスとアルゴンガスとの和に対する比率が25〜50%となるように混合したガスであることを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31