特許

J-GLOBAL ID：200903022398624199

平面アンテナおよびその製造方法

発明者： 井原 賢 ,  中村 友二 ,  山脇 秀樹 ,  中尾 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-043908
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243843
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】酸化物超伝導体を導体部分として使用可能な平面アンテナを得る。【構成】サフアイア基板1上に半導体層(3a,3b)と、酸化物超伝導体よりなる導体部分(4,4a,4b)を形成して構成する。サフアイア基板は、酸化物超伝導体およびシリコン半導体の双方に対して良好な結晶成長用基板として作用するため、所期の目的を達成することができる。

請求項（抜粋）：

サフアイアよりなる絶縁基板と、前記基板上の第1の領域に選択的に設けられ、内部に電子デバイスを有する半導体層と、前記基板上の第2の領域に選択的に設けられたアンテナパターンと、前記電子デバイスとアンテナパターンとを接続する配線層とを備え、前記アンテナパターンまたは配線層の少なくとも一方が酸化物超伝導体よって形成されてなることを特徴とする平面アンテナ。

IPC (4件)：

H01Q 23/00 ZAA ,  H01P 11/00 ZAA ,  H01Q 13/08 ZAA ,  H01Q 21/06 ZAA