特許
J-GLOBAL ID:200903022410563796
薄膜トランジスタおよび液晶表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-390311
公開番号(公開出願番号):特開2003-197915
出願日: 2001年12月21日
公開日(公表日): 2003年07月11日
要約:
【要約】【課題】 エッジ電導がなく、オフ電流の増加やエージング試験の特性劣化のない薄膜トランジスタおよびそれを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体薄膜内に形成されたソース/ドレイン領域と、半導体薄膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とからなる薄膜トランジスタであって、ゲート電極がソース領域を取り囲むように配置され、かつドレイン領域がゲート電極を取り囲むように配置されてなることを特徴とする薄膜トランジスタにより、上記の課題を解決する。
請求項(抜粋):
半導体薄膜内に形成されたソース/ドレイン領域と、半導体薄膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とからなる薄膜トランジスタであって、ゲート電極がソース領域を取り囲むように配置され、かつドレイン領域がゲート電極を取り囲むように配置されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
FI (4件):
G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 29/78 616 T
, H01L 29/78 617 K
Fターム (53件):
2H092JA24
, 2H092JA29
, 2H092JB58
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KB22
, 2H092MA30
, 2H092NA01
, 2H092NA21
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 5F052AA02
, 5F052AA11
, 5F052AA17
, 5F052BB07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DA04
, 5F052DA05
, 5F052DA06
, 5F052DB01
, 5F052DB07
, 5F052EA16
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F110AA06
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE24
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HM04
, 5F110HM12
, 5F110NN27
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110PP10
, 5F110PP34
, 5F110QQ19
, 5F110QQ28
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