特許

J-GLOBAL ID：200903022421538220

半導体装置及びその製造方法

発明者： 深田 卓史
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292107
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333919
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 パーティクルの発生を抑制して品質及び歩留りを向上させ、またSi酸化膜の平坦化特性を向上させ、さらに信号伝達の高速化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ECRプラズマCVD装置を用いて、フッ素と反応性を有するアルミ配線22を備える基板21上にSi酸化膜を形成する場合は、まず、Arガス,O2 ガス及びSiH4 ガスを供給し、プラズマを発生させて基板21上に下地Si酸化膜23を1000Å形成する。そしてSiH4 を停止しSiF4 を導入して、下地Si酸化膜23上にSi酸化膜24を堆積する。

請求項（抜粋）：

フッ素を含むシリコン化合物ガスとO2 又はN2 Oとを用いたプラズマCVD法により形成された 0.1〜20 atomic %のフッ素を含むSi酸化膜を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-250635
  
• 特開昭60-250635
  
• 特開昭60-250635
  
• 特開昭60-250635