特許
J-GLOBAL ID：200903022423638582
配線構造体の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066163
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294643
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 通常のレジストプロセスを採用して、比誘電率が低い層間絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】 半導体基板600上に、第1の有機膜603、シリコン酸化膜604、第2の有機膜605を順次堆積した後、第2の有機膜605の上にマスクパターン608を形成する。有機絶縁膜605に対して第2のレジストパターン609及びマスクパターン608をマスクとしてエッチングを行なって、第2の有機膜605をパターン化すると共に第2のレジストパターン609を除去する。シリコン酸化膜604に対してパターン化された第2の有機膜605Aをマスクとしてエッチングを行なって、シリコン酸化膜604をパターン化する。第2の有機膜605Aに対してマスクパターン608をマスクとしてエッチングを行なうと共に、第1の有機膜603に対してシリコン酸化膜をマスクとしてエッチングを行なって、第2の有機膜605Aに配線溝を形成すると共に、第1の有機膜603にコンタクトホールを形成する。
請求項（抜粋）：
下層の金属配線の上に第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の絶縁膜の上に該第1の絶縁膜と組成が異なる第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の上に、有機膜からなり前記第2の絶縁膜と組成が異なる第3の絶縁膜を形成する工程と、前記第3の絶縁膜の上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第1のレジストパターンを形成するの工程と、前記薄膜に対して前記第1のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行なって、前記薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを除去した後、前記第3の絶縁膜及びマスクパターンの上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第3の絶縁膜に対して前記第2のレジストパターン及びマスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第3の絶縁膜を該第3の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化すると共に前記第2のレジストパターンを除去する工程と、前記第2の絶縁膜に対してパターン化された前記第3の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第2の絶縁膜を該第2の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する工程と、パターン化された前記第3の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に、前記第1の絶縁膜に対してパターン化された前記第2の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、パターン化された前記第3の絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記第1の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填することにより、上層の金属配線及び前記下層の金属配線と前記上層の金属配線とを接続するコンタクトを形成する工程とを備えていることを特徴とする配線構造体の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 J
, H01L 21/90 S
