特許
J-GLOBAL ID:200903022426467762

ウエハボート、ウエハ熱処理炉およびウエハ熱処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-400423
公開番号(公開出願番号):特開2003-197545
出願日: 2001年12月28日
公開日(公表日): 2003年07月11日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハの自重による接触応力や撓みを低減して、半導体ウエハのスリップの発生を防止したウエハボートと、それを用いたウエハ熱処理炉およびウエハ熱処理方法を提供すること。【解決手段】 炉心管2の外部からウエハボート13の周囲に磁場を発生させ、かつ、電極部位24に電流を流すことにより半導体ウエハWに重力と逆向きのローレンツ力を発生させた状態で所定の熱処理を施す。
請求項(抜粋):
対向する上板と下板とが複数本の支柱で固定され、前記支柱を介して半導体ウエハを一枚ずつ分離して積載するウエハボートにおいて、前記上板と前記下板は絶縁部材で形成され、前記支柱は導電性部材で形成されていることを特徴とするウエハボート。
IPC (4件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22
FI (4件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Q ,  H01L 21/22 511 G ,  H01L 21/22 511 M
Fターム (4件):
5F045BB13 ,  5F045DP19 ,  5F045EM08 ,  5F045EM09

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