特許
J-GLOBAL ID：200903022426736771
基板表面の温度測定方法およびそれを利用した半導体成膜方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071405
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283589
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】基板表面の温度測定方法およびそれを利用した半導体成膜方法とその装置において、シリコン基板20温度および面内の温度分布を精度良く測定できるようにし、これにより、基板面内に均一な膜厚で良質なシリコン半導体薄膜を再現性良く形成できるように図る。【構成】シリコン基板20表面のダングリングボンドに起因する光吸収体に対し該光吸収体に吸収され得る波長を有する平行偏向された光を照射する照射部1aと、シリコン基板20へ化学吸着される原子を含む反応ガスの供給および停止を行ない基板表面からの反射光強度を測定する受光部2aと、該反射光強度の時間に対する変化を求めて前記反射光強度の減衰の時定数を演算しこの時定数と前記原子の離脱速度の温度依存性の既知のデータとを照合し基板表面の温度を算出する温度換算部3aを備え、シリコン基板20の温度を測定し温度制御しながら成膜する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面のダングリングボンドに起因する光吸収体に対し該光吸収体に吸収され得る波長を有する平行偏向された光を照射し、前記シリコン基板へ化学吸着される原子を含む反応ガスの供給および停止を行ない前記シリコン基板表面からの反射光強度を測定し該反射光強度の時間に対する変化を求め、求められた前記反射光強度の減衰の時定数と前記原子の離脱速度の温度依存性の既知のデータとを照合し前記シリコン基板表面の温度を測定することを特徴とする基板表面の温度測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01J 5/10
, G01K 11/12
, H01L 21/205
