特許

J-GLOBAL ID：200903022429329387

半導体装置

発明者： 八谷 光芳 ,  鈴木 龍也
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232690
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 低コストでかつ信頼性の高いマウント構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子5と、前記半導体素子5を一方の側に載置したサブマウント基板1と、前記サブマウント基板の他方の側に設けられた放熱体6とからなり、前記半導体素子5とサブマウント基板1との間に厚さ0.03μm以上のクロム層3を設けるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を一方の側に載置したサブマウント基板と、前記サブマウント基板の他方の側に設けられた放熱体とを備え、前記半導体素子と前記サブマウント基板との間に厚さ0.03μm以上のクロム層またはチタン層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/36

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52 B ,  H01L 23/36 D ,  H01L 23/36 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-186382
  
• 特開平4-186689