特許

J-GLOBAL ID：200903022429745976

半導体基板から炭化珪素を除去するための方法と装置

発明者： フェリシア ハン ,  スリニヴァス ディ. ネマニ ,  シャンカー ヴェンカタラマン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-237979
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151505
出願日： 2001年08月06日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 基板から炭化珪素を除去するための方法と装置。【解決手段】基板上の炭化珪素を酸化させてシリコン酸化物を形成し、その後にシリコン酸化物を基板から除去することによって、基板から炭化珪素を除去する。

請求項（抜粋）：

基板から炭素珪素を除去するための方法であって、炭化珪素を有する基板を提供するステップと、シリコン酸化物を形成するために前記炭化珪素を酸化させるステップと、前記シリコン酸化物を除去するステップとを有する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 645

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/304 645 C

Fターム (5件)：

5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ10