特許
J-GLOBAL ID：200903022442289580
火炎センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088265
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286441
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 暗電流との関係において、微弱な火炎光に対応する信号が、暗電流に埋もれたり、S/Nの低い信号しか得られないことが少なく、高温状況下において微弱な火炎の発光を良好に検出できる火炎センサを得る。【解決手段】 第1導電型の半導体層5と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層6とが厚さ方向に並べて積層されて構成され、光に対する感度を有する受光部PRを備え、前記第1導電型の半導体層5と前記第2導電型の半導体層6とに亙って通電されるように一対の電極7a、7bが形成されて成る火炎センサを構成するに、前記第1導電型の半導体層5及び前記第2導電型の半導体層6を、不純物を含むIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成し、前記受光部PRの欠陥密度を、107 /cm2 以下とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層とが厚さ方向に並べて積層されて構成され、光に対する感度を有する受光部を備え、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層とに亙って通電されるように一対の電極が形成されて成る火炎センサであって、前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層が、不純物を含むIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成され、前記受光部の欠陥密度が、107 /cm2 以下である火炎センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, G01J 1/02 B
2G065AA15
, 2G065AB05
, 2G065AB19
, 2G065BA02
, 2G065BA09
, 2G065BA32
, 2G065CA05
, 2G065CA12
, 2G065DA06
, 2G065DA20
, 5F049MA02
, 5F049MB07
, 5F049NA04
, 5F049NB10
, 5F049PA04
, 5F049PA18
, 5F049PA20
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049WA03
