特許

J-GLOBAL ID：200903022448088366

シリコン酸化膜の成膜方法

発明者： 福所 孝 ,  山根 淳二 ,  松田 健
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016283
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232116
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 減圧CVD法により高温でシリコン酸化膜(いわゆるHTO膜)を成膜する際にヘイズ(シリコン粒と思われる)のない表面が滑らかな膜を得る。【構成】 SiH4 ガスとN2 Oガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜(HTO膜)を成膜する際、チャンバー内をN2 Oガス雰囲気にした後、SiH4ガスを設定した流量まで階段状に増加しながら導入するようになす。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスと酸素を含むガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を成膜する際、チャンバー内を前記酸素を含むガス雰囲気にした後、前記シラン系ガスを設定した流量まで階段状に導入することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-166372
  
• 特開平3-009571
  
• 特開昭49-103574