特許

J-GLOBAL ID：200903022449681168

アモルファスダイヤモンド材料ならびにその使用および製造のための関連する方法

発明者： スン, チェン-ミン
出願人/特許権者： スン, チェン-ミン
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533736
公開番号（公開出願番号）：特表2007-517482
出願日： 2004年06月09日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

アモルファスダイヤモンド材料(5)および陰極(25)と陽極(30)との間に結合される中間部材(55)。このアモルファスダイヤモンド材料(5)は、少なくとも約90%の炭素原子を含み、この炭素原子の少なくとも約20%は、歪んだ四面体配位で結合されている。アモルファスダイヤモンドコーティング(5)は、陰極(25)のベース部材と接触しているエネルギー入力表面(10)およびこのエネルギー入力表面(10)に対向する電子放出表面(15)を有する。この電子放出表面(15)は、約10〜約1,000ナノメートルの隆起高さを有し得、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に入力された際に、電子を放出し得る。

請求項（抜粋）：

アモルファスダイヤモンド発電機であって、以下: a)アモルファスダイヤモンド材料の層を備えるベース部材を有する陰極であって、該アモルファスダイヤモンド材料は、該陰極の少なくとも一部をコーティングし、該アモルファスダイヤモンド材料は、少なくとも約90%の炭素原子を含み、該炭素原子の少なくとも約20%は、歪んだ四面体配位で結合され、該ダイヤモンドコーティングは、該ベース部材と接触しているエネルギー入力表面および該エネルギー入力表面に対向する電子放出表面を備えて構成され、該電子放出表面は、約10〜約1,000ナノメートルの隆起高さを有し、そして十分量のエネルギーが該アモルファスダイヤモンド材料に投入された際に、電子を放出し得る、陰極; b)該アモルファスダイヤモンドコーティングの該電子放出表面に結合される中間部材であって、該中間部材は、約100W/mK未満の熱伝導率および20°Cにおいて約80μΩ-cm未満の抵抗率を有する材料を含む、中間部材;ならびに c)該アモルファスダイヤモンドコーティングに対向する該中間部材に結合される陽極、を備える、アモルファスダイヤモンド発電機。

IPC (6件)：

H02N 3/00 ,  C01B 31/02 ,  H01J 9/02 ,  H01J 1/304 ,  H02N 6/00 ,  H02N 11/00

FI (6件)：

H02N3/00 A ,  C01B31/02 101Z ,  H01J9/02 B ,  H01J1/30 F ,  H02N6/00 ,  H02N11/00 A

Fターム (33件)：

4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC15A ,  4G146AD02 ,  4G146AD14 ,  4G146AD21 ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA02 ,  4G146BB23 ,  4G146BC10 ,  4G146BC17 ,  4G146CB23 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  5C127AA20 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB05 ,  5C127BB06 ,  5C127DD07 ,  5C127DD35 ,  5C127EE02 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB05 ,  5C135AB06 ,  5C135AC01 ,  5C135GG20 ,  5C135HH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-279404   出願人：ソニー株式会社
• ハイブリッド熱電子エネルギー変換器およびその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-608450   出願人：エネコインコーポレイテッド