特許
J-GLOBAL ID:200903022451005366

半導体レーザ素子のダイボンド装置およびダイボンド方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-264087
公開番号(公開出願番号):特開2007-080964
出願日: 2005年09月12日
公開日(公表日): 2007年03月29日
要約:
【課題】 簡易かつコンパクトな構成で高精度に半導体レーザ素子を位置決めしダイボンドすることができる半導体レーザ素子のダイボンド装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子26から放射される光の軸方向を調整して半導体レーザ素子26をステムにダイボンドするダイボンド装置20は、半導体レーザ素子26の発光点の位置を測定するCCDカメラ21と、放射光を受光して光出力を測定する第1受光素子22と、スリット49を通して放射光を受光し、光の出力が最大となるピーク位置を測定する第2受光素子23とを含み、第1受光素子22と第2受光素子23とは、支持アーム部材44に装着されることによって、一体的な部材を構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体レーザ素子から放射される光の軸である光軸の方向を調整して半導体レーザ素子をステムにダイボンドする半導体レーザ素子のダイボンド装置において、 半導体レーザ素子から光が放射される位置である発光点の位置を測定する発光点位置測定手段と、 半導体レーザ素子から放射される光を受光して光出力を測定する第1受光素子と、 半導体レーザ素子から放射される光を、スリットを通して受光し、光の出力が最大となるピーク位置を測定する第2受光素子とを含み、 第1受光素子と第2受光素子とが、一体的な部材を構成することを特徴とする半導体レーザ素子のダイボンド装置。
IPC (1件):
H01S 5/022
FI (1件):
H01S5/022
Fターム (3件):
5F173MA05 ,  5F173MC03 ,  5F173MD74
引用特許:
出願人引用 (3件)

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