特許

J-GLOBAL ID：200903022452337990

ウエハステージ及び真空熱処理装置

発明者： 高津 恵 ,  平野 信介 ,  門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360184
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183145
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 真空雰囲気内におけるウエハの高温熱処理に用いることが可能なウエハステージおよび真空熱処理装置を提供する。【解決手段】 アルミニウムとセラミックスとの複合材料からなる保持台11と、保持台11の載置面を覆う状態で設けられた溶射セラミックスからなる誘電体層13と、誘電体層13の内部に設けられたチャック電極15と、保持台11に設けられた温調手段17とを備えたウエハステージ1であり、複合材料の線膨張係数がa×10-6である場合に、溶射セラミックスの線膨張係数が(a±3)×10-6であり、溶射セラミックスの線膨張係数がb×10-6である場合に、チャック電極15の線膨張係数が(b±3)×10-6である。誘電体層13と保持台11及びチャック電極15との間の線膨張係数の差に起因して、誘電体層13が破壊されるといった不具合が防止される。

請求項（抜粋）：

アルミニウムとセラミックスとの複合材料からなる保持台と、前記保持台の載置面を覆う状態で設けられ、前記複合材料の線膨張係数がa×10-6である場合に、線膨張係数が(a±3)×10-6である溶射セラミックスからなる誘電体層と、前記誘電体層の内部に設けられ、前記溶射セラミックスの線膨張係数がb×10-6である場合に、線膨張係数が(b±3)×10-6であるチャック電極と、前記保持台に設けられた温調手段とを備えたことを特徴とするウエハステージ。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/324 Q

Fターム (7件)：

5F031CA02 ,  5F031FA07 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA16 ,  5F031MA30 ,  5F031NA05