正特性サーミスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024110
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235404
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】電極層剥がれなどの経時的変化や抵抗温度特性及び耐電圧特性の劣化による電気的変化というような不都合の発生を有効に防止することが可能なPTCの製造方法を提供する。【構成】本発明にかかる正特性サーミスタの製造方法は、サーミスタ素体1上にオーミック電極層2を形成し、かつ、このオーミック電極層2よりも占有面積の狭い半田付け用電極層7をオーミック電極層2上に重ね合わせて形成した後、半田付け用電極層7上にフラックスを付着させたうえ、この半田付け用電極層7に対してリード端子4を半田付け接続することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

サーミスタ素体(1)上にオーミック電極層(2)を形成し、かつ、このオーミック電極層(2)よりも占有面積の狭い半田付け用電極層(7)をオーミック電極層(2)上に重ね合わせて形成した後、半田付け用電極層(7)上にフラックスを付着させたうえ、この半田付け用電極層(7)に対してリード端子(4)を半田付け接続することを特徴とする正特性サーミスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01C 7/02 , H01C 1/144

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭60-133701
特開昭61-023302

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