特許
J-GLOBAL ID：200903022452824514
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185840
公開番号（公開出願番号）：特開2003-003263
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 消耗品としてのシール部材の劣化を抑えて寿命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減らしてコストを低減する。【解決手段】 クリーニング処理を実施する際、天井板4の部位の円環溝32及び搬入・搬出口51の部位の円環溝55に成膜室3内よりも高い所定圧力の不活性ガスを圧送し、成膜室3側とOリング31、53側とを遮断してフッ素イオンの到達を阻止することでフッ素イオンに晒されることを防止し、Oリング31、53の劣化を抑制し、消耗品としての高価なOリング31、53の寿命を大幅に伸ばし、メンテナンスの頻度を減らしてコストを飛躍的に抑制する。
請求項（抜粋）：
シール部材で封止された成膜室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜が施されるプラズマCVD装置において、成膜室とシール部材の間に流体圧入部を設け、成膜室側とシール部材側とを遮断するように流体圧入部に流体を圧送する圧送手段を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/44 J
, H01L 21/205
4K030DA06
, 4K030FA01
, 4K030KA10
, 5F045AA08
, 5F045BB10
, 5F045EB02
, 5F045EB05
, 5F045EB10
