単結晶引上装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172797
公開番号（公開出願番号）：特開2001-002491
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】単結晶引上げ速度を低下させることなく、COPの生成量を低減して酸化膜耐圧を向上させ、さらに構造が簡単で安価であり、構成部材から重金属など発生させない輻射シールドを有する単結晶引上装置を提供する。【解決手段】CZ法に用いられ輻射シールドを有する単結晶引上装置において、輻射シールドは熱伝導率の異なる2種類の石英部材からなるシールド上部とシールド下部で形成され、シールド上部の熱伝導率はシールド下部の熱伝導率よりも小さい単結晶引上装置。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に設置されたルツボと、このルツボに充填された半導体原料を加熱して融液にするヒータと、引上げ領域を囲むようにルツボの上方に設置された輻射シールとを有し、種結晶を融液に浸漬し単結晶を引上げる単結晶引上装置において、前記輻射シールドは熱伝導率の異なる2種類の石英部材からなるシールド上部とシールド下部で形成され、シールド上部の熱伝導率はシールド下部の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/00 Z , C30B 29/06 502 E , H01L 21/208 P

Fターム (19件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EG15 , 4G077EG25 , 4G077EJ02 , 4G077GA01 , 5F053AA12 , 5F053AA13 , 5F053AA14 , 5F053BB04 , 5F053BB08 , 5F053BB13 , 5F053BB60 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH10 , 5F053RR03

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