特許

J-GLOBAL ID：200903022454300610

III -V族化合物半導体の製造方法

発明者： 福原 裕明 ,  菅野 保至
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-087864
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275532
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 Si混入が抑制されたIII -V族化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】 石英封管中にIII 族元素原料の入ったボートとV族元素原料を別々に配置し、これらの間に仕切板を置き、仕切板を貫通してV族元素蒸気を導入する導入管を設置し、導入管とV族元素原料が置かれた範囲の温度を1050°C未満にする点に特徴がある。

請求項（抜粋）：

石英封管中にIII 族元素原料を充填した密閉式ボートとV族元素原料を別々に配置し、該ボートと該V族元素原料の間に該石英封管の内径より若干小さい仕切板を置き、該V族元素の蒸気を導入する導入管を該ボートの一端からのばし該仕切板に貫通させて設置し、該仕切板、該導入管の入口および該V族元素原料が置かれた範囲の温度を1050°C未満にする事を特徴とするIII-V族化合物半導体の製造方法。